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【短讯】东微半导：第五代超级结MOSFET进入批量验证碳化硅产品客户认可及海外策略问题未做回答|直击业绩会

来源：开利财经时间：2023-05-12 18:57:32

(资料图片仅供参考)

5月12日讯（记者郭辉）功率半导体在过去一年市场中的结构性需求分化明显，其中以光伏逆变及储能、车载电子为代表的新能源领域需求持续高景气。有着“充电桩芯片第一股“之称的东微半导，尽管在上市前后被质疑其核心产品高压超级结MOSFET面临IGBT、碳化硅等方案的有力竞争，但在下游产业持续增长的背景下，该公司2022年度实现营收11.16亿，较上年同期增长 42.74%；归母净利润2.84亿元，同比大增93.57%。高压超级结MOSFET产品2022年卖得不错，全年实现营业收入9.14亿元，同比增长60.77%，并且批量出货比亚迪、凯斯库、中兴、通用电气、中车株洲等知名客户。今日的业绩会上，东微半导董秘李麟透露了相关业务最新进展。她表示，公司持续拓展基于第三代高压超级结MOSFET技术平台的产品规格，单晶圆产出芯片颗数提高，同时产品性能得到进一步提升。“公司第四代高压超级结MOSFET已实现批量出货，同时，公司第五代超级结MOSFET技术研发进展顺利，已经进入批量验证阶段。”Tri-gate IGBT（TGBT）产品去年实现营业收入4461.27万元，同比增长685.21%。据了解，东微半导TGBT产品区别于国际主流IGBT技术的创新型器件，对其中关键技术参数进行了优化，不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布等。公司称，目前产品出货量增加，在手订单充足且供不应求。此外，2022年东微半导SiC器件首次实现营业收入。国信证券等多家券商机构预计其未来有望进入加速放量阶段。李麟在业绩会上表示，公司Si2C MOSFET产品由于部分使用了SiC衬底，减少了SiC材料的用量，具有独创的器件结构与优化的制造工艺，克服了传统SiC MOSFET成本高的问题，拥有较好的栅氧可靠性与高栅源耐压等技术优势。不过在记者追问产品获客户认可的最新情况时，未获公司方面回复。从财报来看，2022年东微半导在全球性的需求增长中，优先保障了境内市场供应，境内销售规模同比增长46.00%，而境外收入则减少31.90%。东微半导在近期接受机构调研时表示，为应对未来更加复杂的市场变化，公司积极开拓海外市场。目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。除欧洲市场之外，公司开始开拓北美及东南亚市场。不过今日上午在业绩会的规定时间内对公司海外市场策略，以及今年接下来的业务成长性等问题进行提问时，未获公司回应。

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